[实用新型]一种纳米结构出光面半导体发光二极管

摘要

本实用新型涉及半导体光电子器件制造技术领域，尤其涉及一种纳米结构出光面的半导体发光二极管LED。本实用新型是在常规LED的GaP层(2)上表面没有P型电极(11)的表层刻蚀出纳米级的凹凸结构层面；也可以在凹凸结构层面和P型电极(11)的上表面上再覆盖一层铟锡氧化物ITO导电膜(10)，再在覆盖有铟锡氧化物ITO导电膜(10)的P型电极上制备同结构P型电极(11)。本实用新型具有减少光反射，提高器件性能，可以用于各种半导体发光二极管等特点。

主权项

1.一种纳米结构出光面半导体发光二极管，包括有在衬底(7)上依次向上生长的布拉格反射层DBR(6)、N型下限制层(5)、多量子有源区(4)、P型上限制层(3)和磷化镓GaP层(2)，GaP层(2)上表面制备的P型电极，衬底(7)的下表面制备有N型电极(8)，本实用新型的特征在于，在所述的GaP层的上表面没有P型电极的表层刻蚀出纳米级的凹凸结构层面；也可以在凹凸结构层面和P型电极的上表面上再覆盖一层铟锡氧化物ITO导电膜(10)，再在覆盖有铟锡氧化物ITO导电膜(10)的P型电极上制备相同结构P型电极(11)。