[发明专利]具有热障的相变化存储单元及其制造方法

摘要

一种存储单元，其在底电极与栓塞接点之间包括有热隔离材料，以在编程与重置操作时，将热量局限于存储元件中。在一特定实施例中，此存储元件为硫属化物，例如GST。沉积于此接点上以及凹口的侧壁上的导电阻挡层，将底电极耦合到接点，其中凹口形成于接点上。

主权项

1.一种制造存储单元的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积电介质层；在所述电介质层中形成过孔；在所述过孔中沉积导电材料；平面化所述电介质层与所述导电材料，以形成第一表面；至少蚀刻所述导电材料，以形成具有外露的侧壁部分的凹口且所述导电材料的第二表面低于所述第一表面；将导电阻挡层沉积在所述第二表面上以及所述外露侧壁部分上；在所述导电阻挡层上沉积热隔离材料；平面化所述热隔离材料以及所述导电阻挡层，以形成外露的导电阻挡表面；在所述热隔离材料上形成底电极，所述底电极延伸至所述外露导电阻挡表面上并与其接触；在所述底电极上形成存储材料；以及形成顶电极，其电接触至所述存储材料。