[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710196044.6 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101192625A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 朴圣根 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括具有源区和漏区的半导体衬底；位于该源区和漏区之间的具有已编程和已擦除状态的浮置栅极，从而控制源区和漏区之间的电流；以及适用于根据施加于源区、漏区和/或隧道栅极的电压而对浮置栅极进行编程或擦除的隧道栅极。本发明提供一种半导体器件，可以在其中储存功率控制状态，并且可以根据该功率控制状态来施加功率。另外，本发明还提供作为功率控制开关的半导体器件，可以在其中储存功率控制状态而不须施加额外的控制功率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有源区和漏区、以及位于该源区和该漏区之间的沟道；浮置栅极，位于该源区和该漏区之间，配置成根据该浮置栅极的已编程或已擦除状态来控制该源区和该漏区之间的电流；以及隧道栅极，适用于对该浮置栅极进行编程和/或擦除。
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