[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710186827.6 | 申请日： | 2007-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101207011A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 岛明生 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/268;H01L21/324;H01L21/331;H01L21/822;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，使用长波长激光，有选择地对半导体衬底内的预定区域进行退火。在具有区域(An)和区域(Ap)的半导体衬底(1)上形成对于激光(20)的照射随着膜厚变薄而反射率变小的反射率调整膜(17)后，蚀刻区域(An)上的反射率调整膜(17)。接着，对半导体衬底(1)照射激光(20)，对区域(An)的n－型半导体区域(11)、n+型半导体区域(14)进行退火。同样地，在半导体衬底(1)上形成反射率调整膜(17)后，蚀刻区域(Ap)上的反射率调整膜(17)。接着，对半导体衬底(1)照射激光(20)，对区域(Ap)上的p－型半导体区域(12)、p+型半导体区域(15)进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：步骤a，在具有第一区域和第二区域的半导体衬底上形成反射率调整膜，该反射率调整膜随着膜厚变薄而对光源的光照射的反射率变小；步骤b，蚀刻上述第一区域上的上述反射率调整膜；步骤c，在上述步骤b之后，通过对上述半导体衬底照射上述光而对上述第一区域进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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