[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710186827.6 | 申请日： | 2007-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101207011A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 岛明生 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/268;H01L21/324;H01L21/331;H01L21/822;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
步骤a，在具有第一区域和第二区域的半导体衬底上形成反射率调整膜，该反射率调整膜随着膜厚变薄而对光源的光照射的反射率变小；
步骤b，蚀刻上述第一区域上的上述反射率调整膜；
步骤c，在上述步骤b之后，通过对上述半导体衬底照射上述光而对上述第一区域进行退火。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
上述光源是3μm以上的长波长激光，上述反射率调整膜是金属膜。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
上述反射率调整膜，是上述光的波长的复数折射率的复数部分具有1以上值的膜。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
通过上述步骤c，激活注入到成为MISFET的源极和漏极的半导体区域的杂质。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
通过上述步骤c，激活注入到成为双极晶体管的发射极和基极的半导体区域的杂质。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
在上述步骤a之前，在上述第二区域形成双极晶体管；
在上述步骤b之后，在上述第一区域形成MISFET。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
在上述步骤a之前，在上述第二区域形成存储单元；
在上述步骤b之后，在上述第一区域形成MISFET。
8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
步骤a，在半导体衬底的主面上形成high-k膜；
步骤b，在上述high-k膜上形成反射率调整膜，该反射率调整膜随着膜厚变薄而对光源的光照射的反射率变小；
步骤c，将上述反射率调整膜图案化，形成由上述反射率调整膜构成的MISFET的栅极电极；
步骤d，将上述栅极电极取为掩模，离子注入杂质，从而在上述半导体衬底的主面形成成为源极和漏极的半导体区域；
步骤e，在上述步骤d之后，通过对上述半导体衬底照射上述光而进行退火。
9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
步骤a，在SiC衬底上形成反射率调整膜，该反射率调整膜随着膜厚变薄而对光源的光照射的反射率变小；
步骤b，通过离子注入杂质而在上述SiC衬底形成半导体区域；
步骤c，在上述步骤a之后，通过对上述半导体衬底照射上述光而进行退火。
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