[发明专利]半导体制造装置和半导体制造方法无效
| 申请号： | 200710186553.0 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101202240A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 森田朋岳 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体制造装置，包括：支撑单元，其用于支撑从CMP装置接收的半导体晶片；以及真空系统，用于在支撑单元上保持所述晶片。所述真空仅被施加在所述晶片的周围区域中。在所述晶片的周围区域中，不制造例如互连的任何电路以及器件。当通过向真空空间提供气体而释放晶片时，由于静电仅仅出现在其中不存在任何电路的周围区域中，因此即使存在静电，在晶片上制造的电子电路也不会受到损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置，包括：支撑单元，其被配置以支撑从化学机械抛光装置接收的半导体晶片；以及真空系统，其产生真空以将半导体晶片保持在支撑单元上，其中仅在距半导体晶片中心的预定半径之外的周围区域中施加真空。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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