[发明专利]硅衬底上横向外延生长氮化镓的方法无效
| 申请号： | 200710186125.8 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101469446A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王质武 | 申请（专利权）人： | 深圳市方大国科光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518055广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅衬底上横向生长氮化镓的方法，包括如下步骤：A1)在硅衬底表面外延一层AlN种子层；A2)快速降温导致AlN龟裂，AlN龟裂后将沿多个方向形成条行的裂纹，在裂纹的地方因NH3的存在而形成SiN；A3)原位生长SiN，在裂缝处SiN进一步长厚，在AlN上面SiN形成零星的分布，形成一层掩膜；A4)在SiN掩膜的AlN种子层上外延氮化镓，直到GaN完全合并为止。由于本发明的硅衬底上横向生长氮化镓的方法，采用，使得氮化镓横向外延生长，使得位错弯曲，减少了位错，克服了Si衬底与GaN之间具有较大的热失配和晶格失配导致在Si衬底上外延的GaN薄膜出现高缺陷密度的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 横向 外延 生长 氮化 方法 | ||
【主权项】：
1、硅衬底上横向生长氮化镓的方法，其特征在于，包括如下步骤：A1)在硅衬底表面外延一层AlN种子层，充NH3；A2)快速降温导致AlN龟裂，AlN龟裂后将沿多个方向形成条行的裂纹，在裂纹的地方因NH3的存在而形成SiN；A3)原位生长SiN，在裂缝处SiN进一步长厚，在AlN上面SiN形成零星的分布，形成一层掩膜；A4)在SiN掩膜的AlN种子层上外延氮化镓，直到GaN完全合并为止。
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