[发明专利]硅衬底上横向外延生长氮化镓的方法无效
| 申请号： | 200710186125.8 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101469446A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王质武 | 申请（专利权）人： | 深圳市方大国科光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518055广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 横向 外延 生长 氮化 方法 | ||
【权利要求书】：
1、硅衬底上横向生长氮化镓的方法，其特征在于，包括如下步骤：
A1)在硅衬底表面外延一层AlN种子层，充NH3；
A2)快速降温导致AlN龟裂，AlN龟裂后将沿多个方向形成条行的裂纹，在裂纹的地方因NH3的存在而形成SiN；
A3)原位生长SiN，在裂缝处SiN进一步长厚，在AlN上面SiN形成零星的分布，形成一层掩膜；
A4)在SiN掩膜的AlN种子层上外延氮化镓，直到GaN完全合并为止。
2、根据权利要求1所述的硅衬底上横向生长氮化镓的方法，其特征在于，所述AlN种子层厚度在5nm～300nm之间。
3、根据权利要求1所述的硅衬底上横向生长氮化镓的方法，其特征在于，所述AlN上面SiN的厚度在1nm～50nm之间。
4、根据权利要求1所述的硅衬底上横向生长氮化镓的方法，其特征在于，在所述步骤A4中包括如下步骤，
A4.1)所述GaN在A1N种子层上生长，而在有SiN的地方不生长；
A4.2)当GaN生长1～50nm厚度，改变工艺参数。
5、根据权利要求4所述的硅衬底上横向生长氮化镓的方法，其特征在于，在所述步骤A4.2中，改变工艺参为，增大NH3流量20％至100％，升高温度10度至100度。
6、根据权利要求1所述的硅衬底上横向生长氮化镓的方法，其特征在于，所述硅衬底为Si(111)或Si(100)。
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