[发明专利]像素结构的制作方法

摘要

一种利用激光剥离工艺制作像素结构的方法。此制作方法利用激光剥离工艺依序进行栅极、沟道层、源极、漏极、保护层以及像素电极的制作。由于此制作方法并非采用光刻蚀刻工艺，因此可以减少冗长的光掩模工艺，如光致抗蚀剂涂布、软烤、硬烤、曝光、显影、蚀刻、光致抗蚀剂剥除等。此制作方法简化工艺并降低制作成本。

主权项

1.一种像素结构的制作方法，包括：提供基板；形成第一导电层于该基板上；提供第一掩模于该第一导电层上方，且该第一掩模暴露出该第一导电层的一部分；使用激光经由该第一掩模照射该第一导电层，以移除该第一掩模所暴露的部分该第一导电层，而形成栅极；形成栅绝缘层于该基板上，以覆盖该栅极；形成半导体层于该栅绝缘层上；提供第二掩模于该半导体层上方，且该第二掩模暴露出该半导体层的一部分；使用激光经由该第二掩模照射该半导体层，以移除该第二掩模所暴露的部分半导体层，而形成沟道层；形成第二导电层于该沟道层以及该栅绝缘层上；提供第三掩模于该第二导电层上方，且该第三掩模暴露出该第二导电层的一部分；使用激光经由该第三掩模照射该第二导电层，以在该栅极两侧的该沟道层上形成源极以及漏极，其中该栅极、该沟道层、该源极以及该漏极构成薄膜晶体管；形成保护层于该栅绝缘层与该薄膜晶体管上；提供第四掩模于该保护层上方，且该第四掩模暴露出该保护层的一部分；使用激光经由该第四掩模照射该保护层，以在该保护层中形成接触开口，且该接触开口暴露出该漏极的一部分；形成第三导电层，以覆盖该保护层；提供第五掩模于该第三导电层上方，且该第五掩模暴露出该第三导电层的一部分；以及使用激光经由该第五掩模照射该第三导电层，以使剩余的该第三导电层形成像素电极，其中该像素电极通过该接触开口连接至该漏极。