[发明专利]一种氮化物薄膜外延生长的方法无效
| 申请号： | 200710178325.9 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101445956A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 闫发旺;高海永;张扬;张会肖;李晋闽;曾一平;王国宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/38;H01L21/205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种氮化物薄膜外延生长的方法，其包含下列步骤：首先直接升高衬底的温度到氮化物薄膜的生长温度；接着在生长初期，通过生长设备的计算机程序控制氨气(NH3)和III族源材料的输入开关，使氨气(NH3)和III族源材料交替脉冲地输入生长反应室；在设定的持续时间、间隔和脉冲周期下，该过程会在衬底的表面形成一层成核层；然后高晶体质量的氮化物薄膜及其器件结构可生长在该成核层上。该方法可简化制备工艺、减少生长时间，因而可降低生长成本，提高生长效率。该方法利于高晶体质量、低位错密度的氮化物薄膜材料的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 薄膜 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种氮化物薄膜外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：1)首先直接把衬底(1)的温度升高到氮化物薄膜(3)的生长温度；2)在生长初期，通过外延生长设备的计算机程序控制氨气和III族源材料的输入开关，使氨气和III族源材料脉冲地输入生长反应室，在设定的持续时间、间隔和脉冲周期下，在衬底(1)的表面上形成一层成核层(2)；3)在成核层(2)上外延生长氮化物薄膜(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710178325.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种行程检测装置
- 下一篇：旋转下料式单轴桨叶混合机
