[发明专利]三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构无效
| 申请号： | 200710176934.0 | 申请日： | 2007-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101431070A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 涂德钰;刘明;王慰;商立伟;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L27/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子学与分子电子学中的纳米电路结构技术领域，公开了一种三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构，该结构从上至下依次由顶层CMOS器件、分子开关器件和底层CMOS器件连接而成；所述顶层CMOS器件通过通孔与分子开关器件上电极连接，底层CMOS器件通过通孔与分子开关器件下电极连接，所述顶层CMOS器件与底层CMOS器件键合连接在一起。利用本发明，避免了不在同一平面上的通孔与上下电极的影响，同时将电路集成度提高了一倍，具有较高的创新意义及实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 cmos 分子 开关 器件 混合 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
1、一种三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构，其特征在于，该结构从上至下依次由顶层CMOS器件、分子开关器件和底层CMOS器件连接而成；所述顶层CMOS器件通过通孔与分子开关器件上电极连接，底层CMOS器件通过通孔与分子开关器件下电极连接，所述顶层CMOS器件与底层CMOS器件键合连接在一起。
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