[发明专利]一种掩膜只读存储器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种MROM及其制造方法，其包括多条位线和字线，该MROM还具有多个覆盖两位线间的字线及两位线相邻局部区域的编码区。现有技术中使用晶体管的埋层源漏极充当MROM的位线，MROM出现无法在最小特征尺寸不断缩小时等比例缩小且读出速度下降的问题。本发明的MROM制作在硅衬底上的具有针对该位线开设的浅沟槽的导电阱中，该浅沟槽壁上沉积有一扩散阻挡层，位线设置在该浅沟槽中，位线与字线间通过设置在浅沟槽中的隔离氧化层隔开，位线包括层叠的上、下层重掺杂多晶硅，导电阱与编码区的隔离氧化层和上层重掺杂多晶硅直接接触，且其与上层重掺杂多晶硅接触区上具有源、漏重掺杂区。本发明可便于MROM等比例缩小，另可提高读出速度。

主权项

1.一种掩膜只读存储器，制作在硅衬底上的导电阱中，其包括分别平行排布的多条位线和字线，该多条字线垂直排布在该位线上，该掩膜只读存储器具有多个编码区，该编码区覆盖两位线间的字线及两位线相邻的局部区域，字线与硅衬底间具有栅氧化层，其特征在于，该导电阱中针对该位线开设有浅沟槽，该浅沟槽壁上沉积有一扩散阻挡层，位线设置在该浅沟槽中，位线与字线间通过设置在浅沟槽中的隔离氧化层隔开，位线包括层叠的上、下层重掺杂多晶硅，导电阱与编码区的隔离氧化层和上层重掺杂多晶硅直接接触，且其与上层重掺杂多晶硅接触区上具有源、漏重掺杂区。