[发明专利]一种掩膜只读存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种掩膜只读存储器，制作在硅衬底上的导电阱中，其包括分别平行排布的多条位线和字线，该多条字线垂直排布在该位线上，该掩膜只读存储器具有多个编码区，该编码区覆盖两位线间的字线及两位线相邻的局部区域，字线与硅衬底间具有栅氧化层，其特征在于，该导电阱中针对该位线开设有浅沟槽，该浅沟槽壁上沉积有一扩散阻挡层，位线设置在该浅沟槽中，位线与字线间通过设置在浅沟槽中的隔离氧化层隔开，位线包括层叠的上、下层重掺杂多晶硅，导电阱与编码区的隔离氧化层和上层重掺杂多晶硅直接接触，且其与上层重掺杂多晶硅接触区上具有源、漏重掺杂区。

2.如权利要求1所述的掩膜只读存储器，其特征在于，该上、下层重掺杂多晶硅和源、漏重掺杂区的掺杂类型相同，且与导电阱的掺杂类型相反。

3.如权利要求1所述的掩膜只读存储器，其特征在于，该扩散阻挡层为二氧化硅，其厚度范围为100至300埃。

4.如权利要求1所述的掩膜只读存储器，其特征在于，该扩散阻挡层为上下层叠的氮化硅和二氧化硅，其中，氮化硅的厚度范围为50至150埃，二氧化硅的厚度范围为100至300埃。

5.如权利要求1所述的掩膜只读存储器，其特征在于，该上、下层重掺杂多晶硅分别被上、下层锗硅合金代替。

6.一种掩膜只读存储器，制作在硅衬底上的导电阱中，其包括分别平行排布的多条位线和字线，该多条字线垂直排布在该位线上，该掩膜只读存储器具有多个编码区，该编码区覆盖两位线间的字线及两位线相邻的局部区域，字线与硅衬底间具有栅氧化层，其特征在于，该导电阱中针对该位线开设有浅沟槽，该浅沟槽壁上沉积有一扩散阻挡层，位线设置在该浅沟槽中，位线与字线间通过设置在浅沟槽中的隔离氧化层隔开，位线包括层叠的上、下层重掺杂多晶硅，导电阱与隔离氧化层和上层重掺杂多晶硅直接接触，且其与上层重掺杂多晶硅接触区上具有源、漏重掺杂区，位于同一编码区的源、漏重掺杂区之间为编码掺杂区。

7.如权利要求6所述的掩膜只读存储器，其特征在于，该上、下层重掺杂多晶硅和源、漏重掺杂区的掺杂类型相同，且与导电阱的掺杂类型相反。

8.如权利要求6所述的掩膜只读存储器，其特征在于，该扩散阻挡层为二氧化硅，其厚度范围为100至300埃。

9.如权利要求6所述的掩膜只读存储器，其特征在于，该扩散阻挡层为上下层叠的氮化硅和二氧化硅，其中，氮化硅的厚度范围为50至150埃，二氧化硅的厚度范围为100至300埃。

10.如权利要求6所述的掩膜只读存储器，其特征在于，该上、下层重掺杂多晶硅分别被上、下层锗硅合金代替。

11.一种权利要求1所述的掩膜只读存储器制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：a1、在硅衬底上沉积衬垫氧化层和掩模层；b1、通过光刻和刻蚀工艺制作浅沟槽；c1、沉积扩散阻挡层且在隔离沟槽中填充重掺杂的多晶硅，并进行回刻蚀工艺形成下层重掺杂多晶硅；d1、涂布光刻胶并光刻出编码区图形；e1、进行刻蚀工艺以去除未被遮蔽的扩散阻挡层；f1、去除光刻胶且在浅沟槽中填充重掺杂多晶硅，并进行回刻蚀工艺形成上层重掺杂多晶硅；g1、在上层重掺杂多晶硅上通过快速氧化工艺生成隔离氧化层；h1、去除掩模层和衬垫氧化层，并进行阱注入形成导电阱；i1、通过热氧化工艺形成栅氧化层，并在导电阱与上层重掺杂多晶硅直接接触的区域形成源、漏重掺杂区；j1、沉积多晶硅层并进行光刻和刻蚀工艺形成字线。

12.如权利要求11所述的掩膜只读存储器制造方法，其特征在于，该上、下层重掺杂多晶硅和源、漏重掺杂区的掺杂类型相同，且与导电阱的掺杂类型相反。

13.如权利要求11所述的掩膜只读存储器制造方法，其特征在于，该上、下层重掺杂多晶硅分别被上、下层锗硅合金代替。