[发明专利]一种提高P阱栅氧化层电学厚度测量稳定性的测量结构

摘要

一种提高P阱栅氧化层电学厚度测量稳定性的测量结构，包含P阱，P型衬底，以及衬底引出极B端和栅电极G端，还包含一围设在P阱两侧和底部的深N阱结构；该栅电极G端分别设置在P阱上端和P型衬底上端，通过引线连接构成一测量端点；该深N阱结构包含设置在P阱底部的深N阱层和分别设置在P阱两侧的N阱层；该P型衬底围设在该深N阱结构的两侧和底部。本发明提供的提高P阱栅氧化层电学厚度测量稳定性的测量结构，利用RFCMOS以及HV工艺中的深N阱工艺，大幅提高P阱栅氧化层电学厚度的测量稳定性，并可减小因测量结果超出规格而需要重新测量，或者因测量不稳定导致产品报废的情况发生。

主权项

1.一种提高P阱栅氧化层电学厚度测量稳定性的测量结构，包含P阱(1)，P型衬底(2)，以及衬底引出极B端(3)和栅电极G端(4)，其特征在于：还包含一围设在P阱(1)的两侧和底部的深N阱结构；所述的栅电极G端(4)分别设置在P阱(1)的上端和P型衬底(2)的上端，通过引线连接构成一测量端点；所述的深N阱结构包含深N阱层(9)和N阱层(10)；该深N阱层(9)设置在P阱(1)的底部，该N阱层(10)分别设置在P阱(1)的两侧，将P阱(1)包围，使P阱(1)与P型衬底(2)完全隔离；所述的P型衬底(2)围设在该深N阱结构的两侧和底部。