[发明专利]制作光掩模版的方法及图案化的方法有效
| 申请号： | 200710171088.3 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101446755A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王谨恒 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/00;G03F7/00;G03F7/039;G03F7/038 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种图案化方法，包括：提供第一布局图形，所述第一布局图形包括待曝光电路图形和附加图形，所述待曝光电路图形具有至少两条不相连的相对布局线，所述附加图形将所述相对布局线相连；提供用于去除所述附加图形的第二布局图形；分别对第一布局图形和第二布局图形进行光学邻近修正形成第一布局修正图形和第二布局修正图形；分别将第一布局修正图形和第二布局修正图形转移至两块光掩模版上，形成第一掩模图形和第二掩模图形；依次将第一光掩模版和第二光掩模版上的掩模图形转移至晶圆上。本发明还公开了一种制作光掩模版方法。所述制作光掩模版及图案化的方法能够避免光学邻近修正过度的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 模版 方法 图案 | ||
【主权项】：
1. 一种制作光掩模版的方法，其特征在于，包括：提供第一布局图形，所述第一布局图形包括待曝光电路图形和附加图形，所述待曝光电路图形具有至少两条不相连的相对布局线，所述附加图形将所述相对布局线相连；提供用于去除所述附加图形的第二布局图形；分别对第一布局图形和第二布局图形进行光学邻近修正形成第一布局修正图形和第二布局修正图形；分别将第一布局修正图形和第二布局修正图形转移至两块光掩模版上，形成第一掩模图形和第二掩模图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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