[发明专利]制作光掩模版的方法及图案化的方法

权利要求书

1.一种制作光掩模版的方法，其特征在于，包括：

提供第一布局图形，所述第一布局图形包括待曝光电路图形和附加图形，所述待曝光电路图形具有至少两条不相连的相对布局线，所述附加图形将所述相对布局线相连，所述附加图形用于降低光学邻近修正的难度；

提供用于去除所述附加图形的第二布局图形；

分别对第一布局图形和第二布局图形进行光学邻近修正形成第一布局修正图形和第二布局修正图形；

分别将第一布局修正图形和第二布局修正图形转移至两块光掩模版上，形成第一掩模图形和第二掩模图形。

2.如权利要求1所述的制作光掩模版的方法，其特征在于，制作所述第一掩模图形和第二掩模图形的材料为铬。

3.一种图案化方法，其特征在于，包括：

提供第一布局图形，所述第一布局图形包括待曝光电路图形和附加图形，所述待曝光电路图形具有至少两条不相连的相对布局线，所述附加图形将所述相对布局线相连，所述附加图形用于降低光学邻近修正的难度；

提供用于去除所述附加图形的第二布局图形；

分别对第一布局图形和第二布局图形进行光学邻近修正形成第一布局修正图形和第二布局修正图形；

分别将第一布局修正图形和第二布局修正图形转移至两块光掩模版上，形成第一掩模图形和第二掩模图形；

依次将第一光掩模版和第二光掩模版上的掩模图形转移至晶圆上。

4.如权利要求3所述的图案化方法，其特征在于，制作所述第一掩模图形 和第二掩模图形的材料为铬。

5.如权利要求4所述的图案化方法，其特征在于，所述依次将第一光掩模版和第二光掩模版上的掩模图形转移至晶圆上，包括：

在晶圆表面形成光刻胶层；

以第一光掩模版为掩模，进行曝光显影，在光刻胶层上形成与第一光掩模版上的掩模图形对应的光刻胶凹口；

以第二光掩模版为掩模，在第一光掩模版的曝光位置处进行曝光显影，在光刻胶层上形成与第二光掩模版上的掩模图形对应的光刻胶凹口；

以光刻胶层为掩模，在光刻胶凹口处对晶圆表面进行蚀刻形成器件图形；

去除光刻胶层。

6.如权利要求5所述的图案化方法，其特征在于，所述光刻胶为正胶。

7.如权利要求4所述的图案化方法，其特征在于，所述依次将第一光掩模版和第二光掩模版上的掩模图形转移至晶圆上，包括：

在晶圆表面形成第一光刻胶层；

以第一光掩模版为掩模，进行曝光显影，在第一光刻胶层上形成与第一光掩模版上的掩模图形对应的光刻胶凹口；

以第一光刻胶层为掩模，在光刻胶凹口处对晶圆表面进行蚀刻形成第一器件图形；

去除第一光刻胶层；

在晶圆表面形成第二光刻胶层；

以第二光掩模版为掩模，在第一光掩模版的曝光位置处进行曝光显影，在第二光刻胶层上形成与第二光掩模版上的掩模图形对应的光刻胶凹口； 

以第二光刻胶层为掩模，在光刻胶凹口处对晶圆表面进行蚀刻形成第二器件图形；

去除第二光刻胶层。

8.如权利要求7所述的图案化方法，其特征在于，所述第一光刻胶层为正胶，所述第二光刻胶层为负胶。