[发明专利]制作光掩模版的方法及图案化的方法

说明书

技术领域

本发明涉及制作光掩模版的方法及图案化的方法。

背景技术

光刻工艺是集成电路制造工艺中不可或缺的重要技术。所述光刻工艺通常包括如下步骤，先在晶圆表面涂布光阻等感光材料，在感光材料干燥后，通过曝光机将光掩模版上的掩模图形以特定光源曝在所述的感光材料上，随后，再以显影剂将感光材料显影，并利用显影出来的图形作为屏蔽，进行蚀刻等工艺，并最终完成掩模图形的转移。

随着集成电路制造工艺中器件的尺寸的越来越小，对于光刻工艺的要求也越来越高。目前，一般都是通过缩小曝光光源的曝光波长来达到曝出更小尺寸图形的目的。然而，这种仅仅借由缩小曝光波长的方式，通常会出现光刻分辨率不足的问题。为了增加光刻分辨率，如今的集成电路制造工艺已发展出光学邻近修正以及相位移掩模等分辨率增强技术。

光学邻近修正一般是用来改善光学邻近效应的。众所周知，在将掩模图形转移到晶圆上时，很容易产生光学邻近效应(OPE，optical proximity effect)，例如直角转角圆形化(right-angled corner rounded)、直线末端紧缩(line endshortened)以及直线线宽增加/缩减(line width increase/decrease)等都是常见的光学邻近效应所导致的掩模图形转移到晶圆上的缺陷。目前，一般是通过模拟图像和目标图像对比，并调整掩模图形的设计使模拟图像更接近目标图像，来实施光学邻近修正的，该方法也通常被称为基于模型的光学邻近修正。例如在申请号为200510117559.3的中国专利申请公开了一种用于改进光学邻近校正的方法，其中就涉及到基于模型的光学邻近校正方法。

然而，在目前的光刻工艺中发现，随着器件的尺寸的越来越小，布局图形上可供光学邻近修正的余量也越来越小。而此时的光学邻近修正就面临以下的挑战：修正过度，此种情况会造成原本不应相连的两条布局线相连，从而造成器件短路。上述的情况会影响最终形成的器件的性能，甚至造成器件报废。

发明内容

本发明提供一种制作光掩模版及图案化的方法，来解决现有技术光学邻近修正面临的修正过度的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种制作光掩模版的方法，包括，

提供第一布局图形，所述第一布局图形包括待曝光电路图形和附加图形，所述待曝光电路图形具有至少两条不相连的相对布局线，所述附加图形将所述相对布局线相连；

提供用于去除所述附加图形的第二布局图形；

分别对第一布局图形和第二布局图形进行光学邻近修正形成第一布局修正图形和第二布局修正图形；

分别将第一布局修正图形和第二布局修正图形转移至两块光掩模版上，形成第一掩模图形和第二掩模图形。

所述制作第一掩模图形和第二掩模图形的材料为铬。

本发明还提供一种图案化方法，包括，

提供第一布局图形，所述第一布局图形包括待曝光电路图形和附加图形，所述待曝光电路图形具有至少两条不相连的相对布局线，所述附加图形将所述相对布局线相连；

提供用于去除所述附加图形的第二布局图形；

分别对第一布局图形和第二布局图形进行光学邻近修正形成第一布局修正图形和第二布局修正图形；

分别将第一布局修正图形和第二布局修正图形转移至两块光掩模版上，形成第一掩模图形和第二掩模图形；

依次将第一光掩模版和第二光掩模版上的掩模图形转移至晶圆上。

所述制作第一掩模图形和第二掩模图形的材料为铬。

所述依次将第一光掩模版和第二光掩模版上的掩模图形转移至晶圆上，包括：

在晶圆表面形成光刻胶层；

以第一光掩模版为掩模，进行曝光显影，在光刻胶层上形成与第一光掩模版上的掩模图形对应的光刻胶凹口；

以第二光掩模版为掩模，在第一光掩模版曝光位置处进行曝光显影，在光刻胶层上形成与第二光掩模版上的掩模图形对应的光刻胶凹口；

以光刻胶层为掩模，在光刻胶凹口处对晶圆表面进行蚀刻形成器件图形；

去除光刻胶层。

所述光刻胶为正胶。

所述依次将第一光掩模版和第二光掩模版上的掩模图形转移至晶圆上，包括：

在晶圆表面形成第一光刻胶层；

以第一光掩模版为掩模，进行曝光显影，在第一光刻胶层上形成与第一光掩模版上的掩模图形对应的光刻胶凹口；

以第一光刻胶层为掩模，在光刻胶凹口处对晶圆表面进行蚀刻形成第一器件图形；

去除第一光刻胶层；

在晶圆表面形成第二光刻胶层；