[发明专利]一种半导体结构有效
| 申请号： | 200710167382.7 | 申请日： | 2007-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101325217A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 潘国华;廖先钏;戴光成;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构，至少包含一半导体衬底；一半导体衬底上的栅极堆栈；一至少有一部分位于半导体衬底内且和栅极堆栈相邻的外延区，其中外延区包含一具有第一导电率的杂质；半导体衬底的第一部分邻接于外延区，其中半导体衬底的第一部分具有第一导电率；半导体衬底的第二部分邻接于第一部分，半导体衬底的第二部分具有相对于第一导电率的第二导电率；一硅化金属区形成于外延区和半导体衬底的第一部分和第二部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构包含：一半导体衬底；一栅极堆栈，位于该半导体衬底上；一外延区，至少有一部分位于该半导体衬底内，且和该栅极堆栈相邻，该外延区包含具有第一导电率的杂质；一半导体衬底的第一部分，邻接于外延区，该半导体衬底的第一部分具有第一导电率；一半导体衬底的第二部分，邻接于第一部分，该半导体衬底的第二部分具有相对于第一导电率的第二导电率；以及一硅化金属区，位于外延区和半导体衬底的第一部分和第二部分上。
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