[发明专利]具有镀通结构的装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710167241.5 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101150087A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王维中;郑博仁;杨学安;陈佩君 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60;H01L23/522;H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽;田兴中 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有镀通结构的装置的制造方法包含：提供一基材；形成一种子金属层于该基材上；形成一图案化金属线路层于该种子金属层上；形成一正型显影的光阻层于该图案化金属线路层及该种子金属层上；图案化该光阻层，用以定义至少一贯穿孔曝露出部分该图案化金属线路层，其中该贯穿孔具有一预定深宽比；电镀一金属材料于该贯穿孔中，以形成一金属柱；移除该光阻层；蚀刻掉部分该种子金属层，使该图案化金属线路层的线路彼此电性隔离；以及形成一介电材料层于该基材上，并包覆该图案化金属线路层及部分该金属柱，并裸露出该金属柱的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有镀通结构的装置的制造方法，其特在于包含下列步骤：提供一基材；形成一种子金属层于该基材上；形成一图案化金属线路层于该种子金属层上；形成一正型显影的光阻层于该图案化金属线路层及该种子金属层上；图案化该光阻层，用以定义至少一贯穿孔曝露出部份该图案化金属线路层，其中该贯穿孔具有一预定深宽比；电镀一金属材料于该贯穿孔中，以形成一金属柱，其中该金属柱具有一顶面；移除该光阻层；蚀刻掉部分该种子金属层，使该图案化金属线路层的线路彼此电性隔离；以及形成一介电材料层于该基材上，并包覆该图案化金属线路层及部分该金属柱，并裸露出该金属柱的该顶面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
