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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]实现在线互动的方法、装置以及存储介质-CN202110579732.0在审
发明人：韩哲;王大力;樊富春;杨学安;宋玮璇;张金;黄志强;崔永国;汪金龙;崔振 -专利权人：北京多点在线科技有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H04N21/2187 文献下载
摘要：本申请公开了一种实现在线互动的方法、装置以及存储介质。其中，实现在线互动的方法，包括：从听众的第一终端设备接收听众的行为数据信息；根据行为数据信息，确定听众和发言人互动的互动度量数据信息；以及将互动度量数据信息发送至发言人的第二终端设备以及听众的第一终端设备。
实现在线互动方法装置以及存储介质

[发明专利]应用程序的推荐方法、装置、计算机设备及存储介质-CN201910960392.9在审
发明人：韩哲;姚佳楠;杨学安 -专利权人：北京多点在线科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G06F16/9536 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用程序的推荐方法、装置、计算机设备及存储介质，其中方法包括：接收目标用户发起的应用程序的推荐请求；确定目标用户所对应的目标簇，目标簇为通过对所有用户使用应用程序的情况进行聚类处理得到的；基于预先设置的协同过滤算法对目标用户与目标簇内其他用户进行协同过滤，确定出应用程序的推荐结果。本发明通过确定目标用户经过聚类处理后对应的目标簇，然后基于目标簇内的用户与目标用户进行协同过滤，以确定出推荐结果。由于是对用户经过聚类之后的结果，将相似的用户聚类到簇内，针对该簇内的用户进行协同过滤，这样，无需对全部数据进行计算，在提高计算性能的同时，还能够保证查准率。
应用程序推荐方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]WEB页面的测试方法和系统-CN201510116526.0有效
发明人：石青山;杨学安;于匡济;覃利;陈春秀;卢国盛;曹洪军;代梁峰;顾翀;李义玲;闫庆宏 -专利权人：百度在线网络技术（北京）有限公司
申请日： 2015-03-17 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种WEB页面的测试方法和系统，方法包括：获取待测试WEB页面的测试内容数据；在测试用例标准模板库中提取与测试内容数据相匹配的测试用例标准模板；根据测试内容数据以及提取的与其相匹配的测试用例标准模板，生成用于测试WEB页面的测试内容的测试用例；根据生成的测试用例对待测试WEB页面的测试内容进行测试。本发明的技术方案实现了对WEB页面的自动化测试，同时降低了测试过程中对测试人员编程技能的要求，提高了测试效率。
测试测试内容标准模板匹配标准模板库自动化测试测试过程测试效率编程技能

[发明专利]一种自动化测试方法及执行节点-CN201510066551.2有效
发明人：石青山;于匡济;陈春秀;杨学安;覃利;李义玲;曹洪军;卢国盛;代梁峰 -专利权人：百度在线网络技术(北京)有限公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种自动化测试方法及执行节点。一方面，本发明实施例通过执行节点获得测试用例；从而，所述执行节点启动相对应的进程，以使得所述相对应的进程执行所述测试用例；其中，所述执行节点的数目为至少一个，每个所述执行节点相对应的进程的数目为至少一个，从而多进程完成所述测试用例的自动化测试。因此，本发明实施例提供的技术方案能够并行对测试用例进行自动化测试，可以提高自动化测试的测试效率。
自动化测试测试测试效率节点启动进程执行多进程并行进程

[实用新型]一种背投显示装置-CN201620962635.4有效
发明人： 杨学安;陈洪辉 -专利权人：北京赢康科技股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G03B21/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种背投显示装置，其包括一个或者若干个背投单元；所述背投单元包括投影机、背投硬屏幕、反射镜和机械结构；所述投影机设置在屏幕后方，用于向外射出影像信息；所述反射镜设置在屏幕后方，用于将所述投影机射出的影像信息反射到所述屏幕上。本实用新型通过模块化设置，并且每个模块内的通过反射镜来反射摄影机的影像信息，与现有技术的投影机直接向一面屏幕投送相比，空间占用小，水平视场角大，显示系统的占用空间显著缩小，大多数普通办公场所即能容纳。而且制造成本大幅降低，总成本仅为进口设备的三分之一。同时该背投显示装置维护简单，便于拆装和运输。
一种显示装置

[实用新型]基于投影的虚拟现实显示系统-CN201620502577.7有效
发明人： 杨学安;陈洪辉 -专利权人：北京赢康科技开发有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： G03B21/56 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种基于投影的虚拟现实显示系统，所述系统包括：投影支架；多个投影屏幕，所述多个投影屏幕均设置于所述投影支架，形成包括顶部开口和前部开口的框体，所述框体的底部相对所述投影支架的底端具有一定高度，所述多个投影屏幕均包括投影面以及与投影面相对的显像面，所述多个投影屏幕的显像面形成所述框体的内表面；多组投影设备，所述多组投影设备均设置于所述投影支架，且分别对应所述多个投影屏幕，设置于相应的投影屏幕的投影面一侧，所述多组投影设备分别用于将影像投影到相应的投影屏幕的投影面。
基于投影虚拟现实显示系统

[发明专利]基于投影的虚拟现实显示系统-CN201610366196.5有效
发明人： 杨学安;陈洪辉 -专利权人：北京赢康科技开发有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： G03B21/56 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种基于投影的虚拟现实显示系统，所述系统包括：投影支架；多个投影屏幕，所述多个投影屏幕均设置于所述投影支架，形成包括顶部开口和前部开口的框体，所述框体的底部相对所述投影支架的底端具有一定高度，所述多个投影屏幕均包括投影面以及与投影面相对的显像面，所述多个投影屏幕的显像面形成所述框体的内表面；多组投影设备，所述多组投影设备均设置于所述投影支架，且分别对应所述多个投影屏幕，设置于相应的投影屏幕的投影面一侧，所述多组投影设备分别用于将影像投影到相应的投影屏幕的投影面。
基于投影虚拟现实显示系统

[发明专利]微机电器件蚀刻停止-CN201210057626.7有效
发明人：朱家骅;蔡易恒;梁凯智;徐家保;朱立晟;张贵松;杨学安;林宗贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金属层相接触。该器件进一步包括设置在空腔上方的MEMS结构层，该空腔通过释放牺牲层而在两个定位塞之间和位于蚀刻停止层上方的位置上形成。本发明还提供了一种微机电器件蚀刻停止。
微机器件蚀刻停止

[发明专利]具有穿导孔的硅晶片及其制造方法-CN200910131141.6有效
发明人： 杨学安;陈佩君;陈建桦 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有穿导孔的硅晶片及其制造方法。该硅晶片包括硅基材、绝缘层、至少一电性元件及至少一穿导孔。该绝缘层位于该硅基材的第一表面。该电性元件位于该硅基材内，且显露于该硅基材的第二表面。该穿导孔包括阻绝层及导电体，且贯穿该硅基材及该绝缘层，该穿导孔的第一端显露于该绝缘层的表面，且其第二端连接该电性元件。由此，当形成重布层于该绝缘层的表面时，该重布层不会接触该硅基材，因而可以避免电性短路的问题，故可使用较低解析度的工艺，同时降低制造成本并简化工艺步骤。
具有穿导孔晶片及其制造方法

[发明专利]整合型无源元件及其制造方法-CN200910128829.9有效
发明人：苏清辉;杨学安 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本发明公开一种整合型无源元件及其制造方法，所述整合型无源元件在一基板的上表面依序堆迭一第一绝缘层、一第二绝缘层及一第三绝缘层。所述第一绝缘层内具有一第一电路层，其包含至少一电容结构及至少一电阻结构。所述第二绝缘层内具有一第二电路层，其厚度介于5至50微米之间，并形成至少一第一电感结构。所述第三绝缘层内具有一第三电路层，其厚度介于5至25微米之间，并形成至少一第二电感结构。所述整合型无源元件可以采用半导体后段封装基板的设备来制造，使其具有厚度大于5微米的电感结构，进而有利于降低电感损耗、提高电感效率，并可提高无源元件整合密度及缩小元件体积。
整合无源元件及其制造方法

[发明专利]在晶片内形成导电线路的方法-CN200710154229.0无效
发明人： 杨学安 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2007-09-11 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种在晶片内形成导电线路的方法，利用干式蚀刻或激光烧蚀的方式在晶片上表面形成开孔，再将锡膏涂布于开孔上，并将晶片置于一真空的环境内且将锡膏加热融化。破坏此真空环境使得施加在晶片上表面的气体压力大于开孔内的气体压力，由此将熔融的锡膏挤入开孔内。
晶片形成导电线路方法

[发明专利]具有高深宽比镀通孔的装置的制造方法-CN200810095823.1有效
发明人： 杨学安;郑博仁 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种具有镀通孔的装置的制造方法包含下列步骤：将一介电材料层形成于一基材上，其中该介电材料层包含一贯穿孔；将一种子金属层形成于该介电材料层上与该贯穿孔内；将一金属层形成于该种子金属层上，并填满该贯穿孔；借助一旋转蚀刻制程，将位于该种子金属层的上方与该贯穿孔之外的该金属层蚀刻掉，如此使位于该贯穿孔之内的该金属层形成一下半部；将一上半部形成于该下半部上，且将一金属线路形成在该种子金属层上，其中该上半部与下半部形成一镀通孔，且该镀通孔及该金属线路裸露出部分的该种子金属层；以及将裸露出的该种子金属层蚀刻掉。
具有高深镀通孔装置制造方法

[发明专利]微机电系统的封装构造及其制造方法-CN200810092709.3有效
发明人： 杨学安;王盟仁;王维中;李明锦;黄蔚彬;郑凤珍 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种微机电系统封装构造包含一第一及第二层板及一压合材料。该第一层板包含一下金属线路、一金属薄膜及一贯穿开口，该下金属线路位于该第一层板的下表面上，该金属薄膜配置于该下金属线路上。该第二层板包含一上金属线路及一金属电极片，该上金属线路位于该第二层板的上表面上，该金属电极片配置于该上金属线路上，且该金属电极片对应于该金属薄膜。该压合材料配置于该下金属线路与该上金属线路之间，并包含一中空部分，用以容纳该金属薄膜及该金属电极片，该金属薄膜、该中空部分及该金属电极片形成一感应单元，其对应于该贯穿开口。
微机系统封装构造及其制造方法

[发明专利]具有镀通结构的装置及其制造方法-CN200710167241.5有效
发明人：王维中;郑博仁;杨学安;陈佩君 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种具有镀通结构的装置的制造方法包含：提供一基材；形成一种子金属层于该基材上；形成一图案化金属线路层于该种子金属层上；形成一正型显影的光阻层于该图案化金属线路层及该种子金属层上；图案化该光阻层，用以定义至少一贯穿孔曝露出部分该图案化金属线路层，其中该贯穿孔具有一预定深宽比；电镀一金属材料于该贯穿孔中，以形成一金属柱；移除该光阻层；蚀刻掉部分该种子金属层，使该图案化金属线路层的线路彼此电性隔离；以及形成一介电材料层于该基材上，并包覆该图案化金属线路层及部分该金属柱，并裸露出该金属柱的顶面。
具有结构装置及其制造方法

[发明专利]用以封装微机电系统装置的晶圆级治具及方法-CN200710163282.7无效
发明人： 杨学安 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种治具及其制造方法，包含一基材、一第一材料层、一绝缘层及一第二材料层。该基材具有一表面，并定义有至少一单元，其包含一凹口位于该表面上。该第一材料层是配置于位在该基材的表面与该凹口上。该绝缘层是配置于部分该第一材料层上，并裸露出位于该凹口上的该第一材料层。该第二材料层是配置于在该凹口上的该第一材料层上，并形成有至少一帽盖，其用以接合于微机电系统装置，并使该微机电系统装置对应该基材上的单元，其中该第一与该第二材料层之间具有一第一接合力，该帽盖与该微机电系统装置之间具有一第二接合力，且该第二接合力是大于该第一接合力。
用以封装微机系统装置晶圆级治具方法

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