[发明专利]半导体传感器以及用于电镀半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710166820.8 | 申请日： | 2003-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101145532A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 田中宏明;丰田稻男;渡边善文;近藤市治;真山惠次;阿部吉次 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;G01L9/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电镀半导体晶片同时维持所镀薄膜厚度均匀的方法，防止在晶片背面淀积并且防止在后续步骤中污染。在半导体晶片的铝电极上间接形成连接端子，在晶片背面由绝缘体覆盖的情况下进行非电解地电镀。优选的是，所述绝缘体是作为构成产品一部分的玻璃衬底。半导体型传感器展现了对腐蚀介质提高了的耐腐蚀性。在半导体衬底上，所述半导体型传感器具有用于检测腐蚀介质的物理量或者化学成分的结构部分以及电量转换元件，并且具有多个焊点，所述焊点是用于向外部单元发送检测到的电信号的输出端子，其中所述焊点利用贵重金属保护。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 传感器 以及 用于 电镀 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于电镀半导体器件的方法，其中在半导体衬底的铝电极上间接形成连接端子，在衬底背面由绝缘体覆盖的情况下进行非电解电镀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
