[发明专利]氮化物半导体发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710165915.8 | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101174664A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 金兑俊;李守烈;金东佑;朴炫柱;申贤秀;片仁俊 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种制造氮化物半导体发光装置的方法以及通过该方法制造的氮化物半导体发光装置，该方法包括：通过在用于氮化物单晶生长的预备衬底上顺序地生长第一导电氮化物层、有源层以及第二导电型氮化物层而形成发光结构；根据最终发光装置的尺寸分离发光结构；在发光结构上形成导电衬底；抛光预备衬底的底面以减小预备衬底的厚度；通过加工预备衬底而形成不平坦的表面结构；选择性地移除预备衬底以露出第一导电型氮化物层的部分；以及在第一导电型氮化物层的通过选择性移除所述预备衬底而露出的部分上形成电极。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造氮化物半导体发光装置的方法，所述方法包括以下步骤：通过在用于氮化物单晶生长的预备衬底上顺序地生长第一导电型氮化物层、有源层以及第二导电型氮化物层而形成发光结构；根据最终发光装置的尺寸分离所述发光结构；在所述发光结构上形成导电衬底；抛光所述预备衬底的底面以减小所述预备衬底的厚度；通过加工所述预备衬底的表面而形成不平坦的表面结构；选择性地移除所述预备衬底以露出所述第一导电型氮化物层的部分；以及在所述第一导电型氮化物层的通过选择性移除所述预备衬底而露出的所述部分上形成电极。
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