[发明专利]半导体存储装置及其编程方法无效
| 申请号： | 200710160123.1 | 申请日： | 2007-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101211656A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 中井洁 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C29/44;G11C17/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 孙纪泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的半导体存储装置具有储存单元，该储存单元包括：层间绝缘膜、嵌入到层间绝缘膜中的下电极层、以及设置在层间绝缘膜上的记录层和上电极层。当向储存单元传送预定的电流时，通过大体上超过熔点来加热记录层，并且在记录层和下电极层之间的界面附近形成腔体。结果，将记录层与下电极层物理分离，并且没有电流流过储存单元。当将记录层与下电极层物理分离时，这些层不会再次回到接触状态。因此，可以不可逆地存储信息。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：记录层，包括其电阻可以可逆改变的可变电阻材料；电极层，与记录层接触；写入电路，通过使电流流经其中而将记录层与电极层物理分离；以及检测电路，检测记录层和电极层之间的连接状态。
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