[发明专利]半导体元件和使用半导体元件的半导体装置有效
申请号: | 200710154325.5 | 申请日: | 2003-03-05 |
公开(公告)号: | CN101217150A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;加藤清;矶部敦生;宫入秀和;须泽英臣 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王小衡 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供有高电流驱动能力、能够高速运转并在多个半导体元件中几乎没有变化的半导体元件。它以下述事实为特征:半导体元件有包括多个晶体取向的第一结晶半导体区,第一结晶半导体区连接到导电的第二结晶半导体区,其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面上的线形条状图形中延伸的绝缘膜的方向延伸,且第二结晶半导体区被提供,包括以线形条状图形延伸的绝缘膜。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 使用 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:在第一方向上延伸的第一到第三绝缘层;以及包括第一到第四区域的结晶半导体层,其中第一区域位于第一和第二绝缘层之间并且在第一方向上延伸,其中第二区域位于第二和第三绝缘层之间并且在第一方向上延伸,其中第三区域连接到第一区域和第二区域并且范围超过第二绝缘层,并且其中第四区域连接到第一区域和第二区域并且范围超过第二绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的