[发明专利]半导体元件和使用半导体元件的半导体装置有效

专利信息
申请号: 200710154325.5 申请日: 2003-03-05
公开(公告)号: CN101217150A 公开(公告)日: 2008-07-09
发明(设计)人: 山崎舜平;加藤清;矶部敦生;宫入秀和;须泽英臣 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;王小衡
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供有高电流驱动能力、能够高速运转并在多个半导体元件中几乎没有变化的半导体元件。它以下述事实为特征:半导体元件有包括多个晶体取向的第一结晶半导体区,第一结晶半导体区连接到导电的第二结晶半导体区,其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面上的线形条状图形中延伸的绝缘膜的方向延伸,且第二结晶半导体区被提供,包括以线形条状图形延伸的绝缘膜。
搜索关键词: 半导体 元件 使用 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:在第一方向上延伸的第一到第三绝缘层;以及包括第一到第四区域的结晶半导体层,其中第一区域位于第一和第二绝缘层之间并且在第一方向上延伸,其中第二区域位于第二和第三绝缘层之间并且在第一方向上延伸,其中第三区域连接到第一区域和第二区域并且范围超过第二绝缘层,并且其中第四区域连接到第一区域和第二区域并且范围超过第二绝缘层。
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