[发明专利]超低介电常数介电层及其形成方法有效
| 申请号： | 200710154311.3 | 申请日： | 2007-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101393865A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 陈美玲;宋述仁;黄建中 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋 莉;贾静环 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种超低介电常数介电层的形成方法。该方法是在进行沉积过程中通过变温程序或变压程序的调控，以使所通入的介电基质反应，而在基底的介电阻挡层上形成具有密度梯度的多层多孔性低介电常数介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 介电层 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种超低介电常数介电层的形成方法，包括：以介电基质进行沉积过程，在进行该沉积过程中通过变温程序或变压程序的调控，使该介电基质反应，以在基底的介电阻挡层上形成具有密度梯度的多层多孔性低介电常数介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
