[发明专利]像素结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种像素结构的制作方法，包括下列步骤：先提供一已形成有源元件的基板，有源元件具有栅极、栅介电层与半导体层，其中半导体层具有通道区、源极区与漏极区。形成介电层覆盖有源元件，再形成光刻胶层于介电层上。光刻胶层具有相邻接的第一与第二光刻胶区块，且第一光刻胶区块厚度大于第二光刻胶区块厚度。第二光刻胶区块具有位于源极区与漏极区上方的开口。以光刻胶层为掩模移除部份介电层以暴露出源极区与漏极区，并在移除第二光刻胶区块后，形成第二金属层，接着移除第一光刻胶区块以构成源极与漏极。接着，形成与漏极连接的像素电极。

主权项

1.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，且该基板上已形成一有源元件，该有源元件具有一半导体层、一栅介电层以及一栅极，其中该半导体层具有一通道区，以及位于该通道区两侧的一源极区以及一漏极区，且该栅极对准该通道区；形成一介电层覆盖该有源元件；形成一图案化光刻胶层于该介电层上，该图案化光刻胶层具有一第一光刻胶区块以及与该第一光刻胶区块邻接的一第二光刻胶区块，其中该第二光刻胶区块具有位于该源极区以及该漏极区上方的开口，且该第一光刻胶区块的厚度大于该第二光刻胶区块的厚度；以该图案化光刻胶层为掩模，移除部份该介电层，以暴露出该源极区以及该漏极区；减少该图案化光刻胶层的厚度，以完全移除该第二光刻胶区块；形成一第二金属层覆盖该第一光刻胶区块、该介电层以及该有源元件；移除该第一光刻胶区块，以使该第一光刻胶区块上的该第二金属层一并被移除，其中该源极区以及该漏极区上的该第二金属层分别构成一源极以及一漏极；以及形成与该漏极连接的一像素电极。