[发明专利]像素结构的制作方法

权利要求书

1.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，且该基板上已形成一有源元件，该有源元件具有一半导体层、一栅介电层以及一栅极，其中该半导体层具有一通道区，以及位于该通道区两侧的一源极区以及一漏极区，且该栅极对准该通道区；

形成一介电层覆盖该有源元件；

形成一图案化光刻胶层于该介电层上，该图案化光刻胶层具有一第一光刻胶区块以及与该第一光刻胶区块邻接的一第二光刻胶区块，其中该第二光刻胶区块具有位于该源极区以及该漏极区上方的开口，且该第一光刻胶区块的厚度大于该第二光刻胶区块的厚度；

以该图案化光刻胶层为掩模，移除部份该介电层，以暴露出该源极区以及该漏极区；

减少该图案化光刻胶层的厚度，以完全移除该第二光刻胶区块；

形成一第二金属层覆盖该第一光刻胶区块、该介电层以及该有源元件；

移除该第一光刻胶区块，以使该第一光刻胶区块上的该第二金属层一并被移除，其中该源极区以及该漏极区上的该第二金属层分别构成一源极以及一漏极；以及

形成与该漏极连接的一像素电极。

2.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，还包括在形成该源极以及该漏极之后，形成一保护层于该介电层与该第二金属层上，该保护层具有暴露该漏极的一接触开口，而该像素电极通过该接触开口与该漏极连接。

3.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，该有源元件为一顶栅极薄膜晶体管。

4.根据权利要求3所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成该顶栅极薄膜晶体管的方法包括：

形成一半导体层于该基板上；

形成一栅介电层覆盖该半导体层；

形成一栅极于该半导体层上方的该栅介电层上；以及

于该半导体层中形成一通道区，以及位于该通道区两侧的一源极区以及一漏极区。

5.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，该有源元件为一底栅极薄膜晶体管。

6.根据权利要求5所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成该底栅极薄膜晶体管的方法包括：

形成一栅极于该基板上；

形成一栅介电层于该基板上，以覆盖该栅极；

形成一半导体层于该栅极上方的该栅介电层上；以及

于该半导体层中形成一通道区，以及位于该通道区两侧的一源极区以及一漏极区。

7.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成该图案化光刻胶层的方法包括经由一半调式光掩模工艺或一灰调式光掩模工艺。

8.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，移除部份该介电层的方法包括进行一蚀刻工艺。

9.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，减少该图案化光刻胶层厚度的方法包括进行一灰化工艺。

10.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，移除该第一光刻胶区块的方法包括蚀刻工艺。

11.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，移除该第一光刻胶区块的方法包括激光剥离工艺。

12.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，该半导体层的材料包括多晶硅。

13.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，该介电层的材质包括氧化硅、氮化硅或有机材料。