[发明专利]晶体管结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200710149952.X | 申请日： | 2007-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101159269A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 杨海宁;陈向东 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L23/522;H01L21/8238;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 许向华;张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改善的晶体管，其减小了掺杂剂交叉扩散且改善了芯片密度。本发明的第一实施例包括在第一栅极电极区域和第二栅极电极区域的结处被部分去除的栅极电极材料，该第一栅极电极区域包括被掺杂以第一离子的栅极材料以用于第一器件，该第二栅极电极区域包括被掺杂以第二离子的栅极材料以用于第二器件。被分别掺杂的区域通过该栅极导体的顶表面附近的硅化物层连接。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：第一栅极电极区域，包括掺杂以第一离子的栅极电极材料以用于第一器件；第二栅极电极区域，包括掺杂以第二离子的栅极电极材料以用于第二器件；部分去除的栅极电极区域，在该第一和第二区域的结处；以及硅化物层，在该部分去除的栅极电极区域之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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