[发明专利]一种半导体结构有效
| 申请号： | 200710149604.2 | 申请日： | 2007-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101299438A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 黄郁惠;李定邦;陈富信 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构。一第一高压N阱区埋藏于一基底中。一P型埋藏层水平邻接第一高压N阱区。一第二高压N阱区位于第一高压N阱区上。一高压P阱区位于P型埋藏层上方。一绝缘区位于第二高压N阱区的顶部表面。一栅极电介质从高压P阱区上方延伸至第二高压N阱区上方，其中部分的栅极电介质是位于绝缘区上方。一栅电极位于栅极电介质上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一基底；一第一高压N阱区，埋藏于该基底中；一P型埋藏层，水平邻接该第一高压N阱区；一第二高压N阱区，位于该第一高压N阱区上；一高压P阱区，位于该P型埋藏层上方；一绝缘区，位于该第二高压N阱区的顶部表面；一栅极电介质，从该高压P阱区上方延伸至该第二高压N阱区上方，其中部分的栅极电介质是位于该绝缘区上方；及一栅电极，位于该栅极电介质上。
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