[发明专利]半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法及系统有效
| 申请号： | 200710149484.6 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101150045A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 菅原佑道;菊池浩 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法及系统，可预知地震的发生，防止晶舟倒塌，将损害抑制至最小限度。其中，地震损害扩散降低系统(27)具有，接收基于经通信线路(26)发送的初期微动的紧急地震信息的接收部(28)，或直接检测初期微动的初期微动检测部(60)；控制部(29)根据接收的紧急地震信息或检测的初期微动停止半导体制造装置的运转的第一工序；和为了防止多层搭载被处理体的晶舟倒塌，以接触或非接触方式保持晶舟的第二工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 中的 地震 损害 扩散 降低 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种包括多层搭载被处理体的晶舟的半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法，其特征在于：包括：接收基于经通信线路发送的初期微动的紧急地震信息，或直接检测初期微动的工序；根据接收的紧急地震信息或检测的初期微动停止所述半导体制造装置的运转的第一工序；和与该第一工序并行，为了防止多层搭载所述被处理体的所述晶舟倒塌，以接触或非接触方式保持所述晶舟的第二工序；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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