[发明专利]具有改进电特性的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710141649.5 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101127297A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 金钟玟 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/225;H01L29/36;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有改进电特性的半导体器件及其制造方法，该方法包括：在硅半导体衬底上形成衬垫绝缘膜。蚀刻所述衬垫绝缘膜和所述衬底，以在所述衬底中形成沟槽。在所述沟槽的内壁上形成包含掺杂剂的薄层。所述掺杂剂可从所述薄层扩散至有源区。可将浅沟槽隔离(STI)氧化物填充至沟槽中。然后对STI氧化物的表面进行平坦化。沿着垂直方向将掺杂剂均匀掺杂至STI侧壁的有源区边缘，以防止驼峰现象。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 特性 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括以下步骤：在硅半导体衬底上形成衬垫绝缘膜；蚀刻所述衬垫绝缘膜和所述衬底，以在所述衬底中形成沟槽；和在所述沟槽的内壁上形成包含掺杂剂的薄层，并使所述掺杂剂从所述薄层扩散至有源区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710141649.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
