[发明专利]在半导体连接垫上的金属凸块形成方法

摘要

本发明涉及在半导体连接垫上的金属凸块形成方法，其主要是在已完成凸块下金属层(under bump metallurgy，UBM)的半导体组件，先借着绝缘胶膜将金属箔热压合至具有凸块下金属层的半导体组件之上，再在该凸块下金属层上形成导孔，并利用无电解沉镀及电镀在此导孔中形成金属凸块。如此，就可利用电镀形成各种高导电性金属的金属凸块，而不仅限于常用的金或锡铅，并且在形成凸块时，绝缘胶膜也可保护连接垫。

主权项

1.一种在半导体连接垫上的金属凸块形成方法，该形成方法包括：提供具有连接垫的半导体组件；在该半导体组件的连接垫上形成凸块下金属层(under bump metallurgy，UBM)；依序将金属箔、绝缘胶膜组合至具有该凸块下金属层的该半导体组件之上；对准该半导体组件的该凸块下金属层，去除该金属箔、该绝缘胶膜，直到曝露出该凸块下金属层；在至少包括曝露出该凸块下金属层的导孔壁面上形成无电解金属层，也可再加一层金属层；在该金属箔上形成抗电镀膜，该抗电镀膜未遮蔽住具有该无电解金属层的导孔；利用该金属箔、该无电解金属层来传递电镀电流至该凸块下金属层，而在该凸块下金属层上电镀出金属凸块；以及去除该抗电镀膜、该金属箔。