[发明专利]基板处理方法及基板处理装置无效
| 申请号： | 200710137308.0 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101114578A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 山冈英人;厨子卓哉;芳谷光明 | 申请（专利权）人： | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/027;H01L21/30;H01L21/306;G03F7/30 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐恕 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在防止发生不均匀处理的同时进行高效率的基板处理的基板处理方法及基板处理装置。通过在显影处理室(3)中对水平姿态的基板供给显影液以实施显影处理后，在洗净处理室(4)对倾斜姿态的基板(S)供给洗净液以进行洗净处理。此时，显影处理后，使基板(S)在显影处理室(3)中从水平姿态向临时倾斜姿态(比适用于洗净处理的基板(S)的倾斜姿态的斜度小的姿态)变换，在该临时倾斜姿态的状态下，将基板(S)从显影处理室(3)输送到洗净处理室(4)。然后，在洗净处理室(4)中，将基板(S)的姿态从临时倾斜姿态变换为最终倾斜姿态，以进行洗净处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，在输送基板的同时，依次进行在第一处理部对水平姿态的基板供给处理液的第一处理、和在第二处理部对倾斜姿态的基板供给处理液的第二处理，其特征在于，包括：第一姿态变换工序，在所述第一处理后，将基板从水平姿态变换为临时倾斜姿态，该临时倾斜姿态是给定的倾斜姿态，斜度比作为适于所述第二处理的姿态而预定的最终倾斜姿态小；输送工序，将该临时倾斜姿态的基板从第一处理部向第二处理部输送；第二姿态变换工序，在第二处理部，将基板的姿态从所述临时倾斜姿态变换为所述最终倾斜姿态；基板处理工序，在第二姿态变换工序后，对最终倾斜姿态的基板进行所述第二处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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