[发明专利]具有结合结构的半导体光电元件有效
| 申请号： | 200710129189.4 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101345268A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 谢明勋 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05;H01L27/15;H01L33/00;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一具有结合结构的半导体光电元件，包括一第一光电结构、一第二光电结构、以及一透明结合结构形成于第一光电结构及第二光电结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结合 结构 半导体 光电 元件 | ||
【主权项】：
1.一种具有结合结构的半导体光电元件，包括：第一光电结构，包括至少一第一p-n结；第二光电结构，包括至少一第二p-n结；以及透明结合结构，形成于该第一光电结构及该第二光电结构之间，使第一光电结构及第二光电结构电性连接；其中，该透明结合结构包括具有第一结合面的第一导电层、具有第二结合面的第二导电层、以及透明黏着层用以结合该第一导电层及该第二导电层并填充于该第一结合面及该第二结合面互相接触后所形成的缝隙内，且该第一结合面及/或该第二结合面为非平面表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
