[发明专利]静电放电保护电路和终端电阻电路有效
| 申请号： | 200710127509.2 | 申请日： | 2007-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101097917A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 大塚宽治;宇佐美保;秋山丰;伊藤恒夫;丹场裕子 | 申请（专利权）人： | 大塚宽治;宇佐美保;秋山丰;伊藤恒夫;丹场裕子;富士通株式会社;京瓷株式会社;株式会社东芝;富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60;H02H9/00;H05F3/00;H03K17/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 宋鹤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种能够通过减小电路的电容而实现差分信号的加速的静电放电保护电路。传输线连接到IN端子和IN反端子，差分信号输入到这些端子。ESD保护电路连接到传输线并且保护内部电路不受施加到IN端子和IN反端子的浪涌电压破坏。ESD保护电路的一对晶体管在同一个阱中形成。因此，当差分信号转变时，保持转变之前的状态的这对晶体管的漏极中的电荷在同一个阱中迁移。因此，这对晶体管的漏极中的电容就差分信号的转变而言被减小了，以使得差分信号的加速可以被实现。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 电路 终端 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护电路，用于保护半导体器件的内部电路不受静电放电破坏，该静电放电保护电路包括：一对晶体管，连接到两条线中的每条，所述两条线连接到所述半导体器件的外部端子并且差分信号通过所述两条线而传播，所述的一对品体管在同一个阱中形成以便对施加到所述外部端子的所述静电放电进行箝位。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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