[发明专利]静电放电保护电路和终端电阻电路

权利要求书

1.一种静电放电保护电路，用于保护半导体器件的内部电路不受静电放电破坏，该静电放电保护电路包括：

一对晶体管，连接到两条线中的每条，所述两条线连接到所述半导体器件的外部端子并且差分信号通过所述两条线而传播，所述的一对晶体管在同一个阱中形成以便对施加到所述外部端子的所述静电放电进行箝位，其中

所述一对晶体管的漏极扩散区之间的距离被确定为使得在所述漏极扩散区之间迁移的电荷的迁移时间短于所述差分信号的转变时间。

2.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其中

所述线是由一对传输线构成的。

3.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其中

从所述一对传输线连接到所述一对晶体管的分支传输线的特性阻抗等于或小于所述一对传输线的特性阻抗。

4.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其中

所述一对晶体管的导通电阻等于或小于所述一对传输线的特性阻抗。

5.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其中

所述一对晶体管连接到电源/地对传输线，该电源/地对传输线的特性阻抗等于或小于所述一对晶体管的导通电阻。

6.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其中

所述一对晶体管将所述静电放电箝位到电源和地中的一者或两者。

7.如权利要求6所述的静电放电保护电路，其中：

用于将所述静电放电箝位到所述电源的所述一对晶体管在同一个阱中形成，并且用于将所述静电放电箝位到所述地的另一对晶体管在同一个阱中形成。

8.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其中：

在所述一对晶体管中，栅极是平行形成的，所述一对晶体管的漏极和第一源极是在所述栅极彼此面对的一侧上形成的，并且所述一对晶体管的每个第二源极是在跨过所述栅极中的每一个与所述第一源极和所述漏极相对的一侧上形成的。