[发明专利]一种控制晶片偏压的装置和方法有效
| 申请号： | 200710121395.0 | 申请日： | 2007-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101383267A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 赵祎 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张天舒;陈 源 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种控制晶片偏压的装置，其包括下电极、匹配网络、射频电源、检测模块和控制模块。其中，射频电源经由匹配网络与等离子体刻蚀设备的下电极相连；检测模块用于检测与等离子体刻蚀设备中的晶片直流自偏压存在对应关系的表征参量，并将其测量值传输至控制模块；控制模块根据该测量值产生控制信号，并将其传输至射频电源；射频电源根据控制信号经由匹配网络向等离子体刻蚀设备的下电极输出给定功率的射频信号，以实现对晶片直流自偏压的控制。本发明还提供了一种控制晶片偏压的方法。本发明提供的控制晶片偏压的装置和方法能够实时可靠地测定并控制晶片上的偏压，并能够获得预期的且稳定的工艺结果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 晶片 偏压 装置 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种控制晶片偏压的装置，包括下电极、匹配网络、射频电源，所述射频电源经由匹配网络与半导体处理设备的下电极相连，其特征在于还包括检测模块和控制模块，其中所述检测模块用于检测与半导体处理设备中的晶片直流自偏压存在对应关系的表征参量，并将其测量值传输至控制模块；所述控制模块根据来自所述检测模块的测量值产生控制信号，并将所述控制信号传输至射频电源；所述射频电源根据所述控制信号输出给定功率的射频信号，并将所述射频信号经由匹配网络施加到半导体处理设备的下电极，以实现对晶片直流自偏压的控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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