[发明专利]一种有源驱动TFT矩阵结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710119784.X | 申请日： | 2007-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101359670A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 陈旭;林承武;闵泰烨 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有源驱动TFT矩阵结构，包括：一基板；一栅线和栅电极，形成在基板之上；一栅电极绝缘层，形成在栅线及栅电极和基板之上，并在相邻的栅线之间形成有栅电极绝缘层过孔；一数据线，一部分形成在栅电极绝缘层之上，另一部分形成在相邻的栅线之间栅电极绝缘层过孔中，并和栅线交叉定义一像素单元；其中每一像素单元至少包括以薄膜晶体管器件和一像素电极。本发明同时公开了一种有源驱动TFT矩阵结构的制造方法。本发明通过在栅电极绝缘层上形成栅电极绝缘层过孔，来增大像素电极和数据线之间的间距，从而有效减少像素电极和数据线两者之间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有源 驱动 tft 矩阵 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种有源驱动TFT矩阵结构，其特征在于，包括：一基板；一栅线和栅电极，形成在所述基板之上；一栅电极绝缘层，形成在所述栅线及栅电极和基板之上，并在所述相邻的栅线之间形成有栅电极绝缘层过孔；一数据线，一部分形成在所述栅电极绝缘层之上，另一部分形成在所述相邻的栅线之间栅电极绝缘层过孔中，并和栅线交叉定义一像素单元；其中每一像素单元至少包括以薄膜晶体管器件和一像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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