[发明专利]一种有源驱动TFT矩阵结构及其制造方法

权利要求书

1.一种有源驱动TFT矩阵结构，其特征在于，包括：

一基板；

一栅线和栅电极，形成在所述基板之上；

一栅电极绝缘层，形成在所述栅线及栅电极和基板之上，并在所述相邻的栅线之间形成有栅电极绝缘层过孔；

一数据线，一部分形成在所述栅电极绝缘层之上，另一部分形成在所述相邻的栅线之间栅电极绝缘层过孔中，并和栅线交叉定义一像素单元；

其中每一像素单元至少包括一薄膜晶体管器件和一像素电极。

2.根据权利要求1所述的矩阵结构，其特征在于：所述栅线包括一栅线突出部分，所述像素电极部分形成在该栅线突出部分的上方，与栅线突出部分共同构成存储电容。

3.根据权利要求1或2所述的矩阵结构，其特征在于：所述栅线和栅电极为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的单层膜，或者为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW和Cr的任意组合所构成的复合膜。

4.根据权利要求1或2所述的矩阵结构，其特征在于：所述栅电极绝缘层为SiNx、SiOx或SiOxNy的单层膜，或者为SiNx、SiOx和SiOxNy的任意组合所构成的复合膜。

5.根据权利要求1或2所述的矩阵结构，其特征在于：所述薄膜晶体管器件的源漏电极为Mo、MoW或Cr的单层膜，或者为Mo、MoW和Cr的任意组合所构成复合膜。

6.一种有源驱动TFT矩阵结构的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1，在基板上沉积栅金属层，通过掩膜和刻蚀工艺，形成栅线和栅电极；

步骤2，在完成步骤1的基板上沉积栅电极绝缘层，通过掩膜和刻蚀工艺，在后续形成数据线的下方部位形成栅电极绝缘层过孔；

步骤3，在完成步骤2的基板上沉积半导体层和掺杂半导体层，通过掩膜和刻蚀工艺，形成半导体有源层；

步骤4，在完成步骤3的基板上沉积源漏金属层，通过掩膜和刻蚀工艺，形成数据线和源漏电极，其中栅电极绝缘层上方的数据线内嵌于栅电极绝缘层过孔中；

步骤5，在完成步骤4的基板上沉积钝化层，通过掩膜和刻蚀工艺，形成过孔和对沟道的保护；

步骤6，在完成步骤5的基板上沉积像素电极层，通过掩膜和刻蚀工艺，形成像素电极，并通过过孔使像素电极与源电极接触导通。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述步骤1中形成栅线时形成栅线突出部分，步骤6形成的像素电极部分位于栅线突出部分的上方，共同形成存储电容。

8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于：所述步骤1中沉积得到的栅金属层为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的单层膜，或者为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW和Cr的任意组合所构成的复合膜。

9.根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于：所述步骤2中沉积得到的栅电极绝缘层为SiNx、SiOx或SiOxNy的单层膜，或者SiNx、SiOx和SiOxNy的任意组合所构成的复合膜。

10.根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于：所述步骤4中沉积得到源漏金属层为Mo、MoW或Cr的单层膜，或Mo、MoW和Cr的任意组合所构成的复合膜。