[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200710112177.0 | 申请日： | 2004-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101083251A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 上田岳洋 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的绝缘层；熔丝元件；第一导电板，以及第一和第二导电壁，其中所述熔丝元件包括其间流过所述电流的第一和第二终端以及形成在所述第一和第二终端之间的体，并且所述第一导电板完全覆盖所述熔丝元件的至少所述体，以及其中所述绝缘层包括第一和第二绝缘膜，所述熔丝元件形成在所述第一和第二绝缘膜之间，所述第一和第二导电壁的每个包括形成在所述第一和第二绝缘膜之间的第一部分，以及其中所述第一部分由与所述熔丝元件相同的材料构成，并且具有与所述熔丝元件相同的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的绝缘层；熔丝元件，具有第一厚度，以及利用施加到其的电流而进入熔断状态，并被嵌入所述绝缘层中；第一导电板，其形成在所述绝缘层上以覆盖所述熔丝元件，以及第一和第二导电壁，其基本垂直于所述衬底并被嵌入所述绝缘层中，以利用所述绝缘层的一部分的介入将所述熔丝元件夹在其间，所述第一和第二导电壁的每个以第二厚度形成，该第二厚度大于所述第一厚度，其中所述熔丝元件包括其间流过所述电流的第一和第二终端以及形成在所述第一和第二终端之间的体，并且所述第一导电板完全覆盖所述熔丝元件的至少所述体，以及其中所述绝缘层包括第一和第二绝缘膜，所述熔丝元件形成在所述第一和第二绝缘膜之间，所述第一和第二导电壁的每个包括形成在所述第一和第二绝缘膜之间的第一部分，以及其中所述第一部分由与所述熔丝元件相同的材料构成，并且具有与所述熔丝元件相同的厚度。
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