[发明专利]焊料凸块结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200710112022.7 | 申请日： | 2007-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101211798A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张碧兰;游秀美;黄志恭;邱颂盛 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种焊料凸块结构以及在半导体元件上制作焊料凸块结构的方法。在一实施例中，首先提供半导体衬底，其上具有接合垫以及位于接合垫上的保护层，其具有露出部分接合垫的开口。在接合垫与保护层上形成第一凸块底层金属。在第一凸块底层金属上设置掩模层，其具有露出部分第一凸块底层金属的开口。蚀刻掩模层，以在第一凸块底层金属与掩模层之间的边缘形成凹陷。在掩模层的开口中形成第二凸块底层金属，使第二凸块底层金属填入凹陷与部分的掩模层开口。本发明能够减少焊料凸块结构的底切程度，因此凸块底层金属之间相对不易受损，由此提高了焊料凸块结构的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 焊料 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体元件上制作焊料凸块结构的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，其上具有接合垫以及位于该接合垫上的保护层，该保护层具有露出部分该接合垫的开口；在该接合垫与该保护层上形成第一凸块底层金属；在该第一凸块底层金属上设置掩模层，该掩模层具有露出部分该第一凸块底层金属的开口；蚀刻该掩模层，以在该第一凸块底层金属与该掩模层之间的边缘形成凹陷；以及在该掩模层的开口中形成第二凸块底层金属，该第二凸块底层金属填入该凹陷与部分的该掩模层的开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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