[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

在接点的底面和侧壁面形成(钛)膜，进行退火处理，在底面形成(C49)相的(钛)硅化物膜。除去未反应的(钛)膜后，在底面和侧壁面形成(氮化钛)膜(82)。再进行退火处理，使(C49)相的(钛)硅化物膜相转变为(C54)相的(钛)硅化物膜(80)。在接触孔残存的空间中堆积钨，形成钨插头(84)。在制造半导体元件时的退火处理中，构成钨插头构造的接点的阻挡金属的(钛)膜捕获从退火时的气氛中或者堆积的膜中产生的氢，所以退火的效果下降。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括：绝缘膜形成步骤，在硅部上形成在底面具有该硅部所露出的开口部的绝缘膜；钛堆积步骤，堆积钛，至少在所述开口部的所述底面形成钛膜；硅化物形成步骤，通过第一退火处理，使所述硅部和所述钛膜反应，在所述底面形成钛硅化物膜；钛膜除去步骤，在所述硅化物形成步骤之后，除去残存的所述钛膜；钨插头形成步骤，在所述钛膜除去步骤之后，在所述开口部堆积经由所述钛硅化物膜与所述硅部电连接的钨；和界面能级密度降低步骤，至少进行到所述钛膜除去步骤之后，进行第二退火处理。