[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

绝缘膜形成步骤，在硅部上形成在底面具有该硅部所露出的开口部的绝缘膜；

钛堆积步骤，堆积钛，至少在所述开口部的所述底面形成钛膜；

硅化物形成步骤，通过第一退火处理，使所述硅部和所述钛膜反应，在所述底面形成钛硅化物膜；

钛膜除去步骤，在所述硅化物形成步骤之后，除去残存的所述钛膜；

钨插头形成步骤，在所述钛膜除去步骤之后，在所述开口部堆积经由所述钛硅化物膜与所述硅部电连接的钨；和

界面能级密度降低步骤，至少进行到所述钛膜除去步骤之后，进行第二退火处理。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

具有：

氮化钛堆积步骤，在所述钛膜除去步骤之后，在形成在所述开口部的底面的所述钛硅化物膜上堆积氮化钛膜；和

相转变步骤，在所述钨插头形成步骤之前，在包含氮的气氛中进行第三退火处理，使所述钛硅化物膜从高电阻相向低电阻相转变。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

该半导体装置在硅基板表面具有产生与入射光对应的信号电荷的区域或积蓄所述信号电荷的区域；

在能降低所述硅基板和形成在该硅基板表面的绝缘膜之间的界面能级密度的条件下，进行所述第二退火处理。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

该半导体装置在硅基板上包含形成电荷传送区的电荷耦合元件；

在能降低所述硅基板和栅绝缘膜之间的界面能级密度的条件下，进行所述第二退火处理。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述硅部是所述电荷耦合元件的多晶硅布线或所述硅基板内的扩散层。