[发明专利]感光二极管的制作方法

摘要

本发明公开了一种感光二极管的制作方法，首先，提供包含掺杂阱的基底，随后在掺杂阱中形成第一掺杂区，接着在第一掺杂区的表面上利用外延工艺形成导电层，并且同时原位(in－situ)掺杂该导电层以在其表面形成第二掺杂区。本发明制作感光二极管的方法，其最大特征在于可避免表面的晶格结构在工艺中被高剂量掺杂剂注入所破坏。因此可有效降低不受光状态所产生的暗电流值，提升感光二极管的感测度。

主权项

1.一种感光二极管的制作方法，至少包含下列步骤：提供包含至少一掺杂阱的基底；在该掺杂阱中形成第一掺杂区；以及进行外延工艺，以在该第一掺杂区上形成导电层，并原位在该外延工艺掺杂该导电层，以在该导电层表面形成第二掺杂区。