[发明专利]感光二极管的制作方法

权利要求书

1.一种感光二极管的制作方法，至少包含下列步骤：

提供包含至少一掺杂阱的基底；

在该掺杂阱中形成第一掺杂区；以及

进行外延工艺，以在该第一掺杂区上形成导电层，并原位在该外延工艺掺杂该导电层，以在该导电层表面形成第二掺杂区。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中该掺杂阱为P型。

3.如权利要求2所述的制作方法，其中该第一掺杂区为N型。

4.如权利要求2所述的制作方法，其中该第二掺杂区为P型。

5.如权利要求2所述的制作方法，其中在形成该第一掺杂区之前，另包含在该掺杂阱中形成第三掺杂区的步骤，其中形成该第三掺杂区为阈值电压调整的步骤。

6.如权利要求5所述的制作方法，其中该第三掺杂区为P型。

7.如权利要求1所述的制作方法，其中该导电层包含单晶硅。

8.一种感光二极管的制作方法，至少包含下列步骤：

提供包含至少一掺杂阱的基底；

进行外延工艺，以在部分的该掺杂阱上形成导电层，并原位在该外延工艺掺杂该导电层，以在该导电层表面形成第一掺杂区；

在该导电层表面形成绝缘层；以及

在该导电层下方的该掺杂阱中形成第二掺杂区。

9.如权利要求8所述的制作方法，其中在形成该第二掺杂区之后，另包含去除该绝缘层的步骤。

10.如权利要求8所述的制作方法，其中该掺杂阱为P型。

11.如权利要求10所述的制作方法，其中该第一掺杂区为P型。

12.如权利要求10所述的制作方法，其中该第二掺杂区为N型。

13.如权利要求10所述的制作方法，其中在形成该第一掺杂区之前，另包含在该掺杂阱中形成第三掺杂区的步骤，其中形成该第三掺杂区为阈值电压调整的步骤。

14.如权利要求13所述的制作方法，其中该第三掺杂区为P型。

15.如权利要求8所述的制作方法，其中该导电层包含单晶硅。