[发明专利]半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件的制造方法。本发明的一个实施例包括基底，基底中的部分顶部区域中具有埋藏层以延伸至漂移区。结构层形成于埋藏层和基底上方，并且高压N阱区和高压P阱区彼此连接。场介电结构位于部分的高压N阱和P阱上方，且栅极介电结构和栅极导电结构形成于高压N阱和高压P阱间的沟道区上方。晶体管的源极和漏极位于高压N阱和高压P阱中，另外，P型场环形成于场介电下的N阱区中。在本发明另一实施例中，具有位于高压N阱中的分隔区的横向能量超级接面金属氧化物半导体元件包括延伸漂移区。本发明的半导体元件具有高击穿电压且有低导通电阻。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，包括：提供半导体基底，具有第一层；形成延伸漂移区于部分第一层的上部区中，所述延伸漂移区具有第一导电类型；形成第二层于所述延伸漂移区和所述基底上方；形成第一区，设置于所述第二层中和所述延伸漂移区上方，所述第一区为所述第一导电类型；形成第二区，设置于所述第二层中且实质上在平面中邻接所述第一区，所述平面实质上平行于所述基底的主要表面，所述第二区为第二导电类型；形成场介电层于部分第一区上方；及形成栅极介电层和栅极导电层，其中所述栅极介电层和所述栅极导电层从部分场介电层上方延伸至部分第二区上方。