[发明专利]半导体元件无效
| 申请号： | 200710102429.1 | 申请日： | 2007-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101118927A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈宏铭;黄健朝;杨富量 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓东 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，包括：半导体基底；栅极堆栈结构(gate stack)位于半导体基底上；间隙壁位于该栅极堆栈结构的侧壁上；轻掺杂源/漏极区与该栅极堆栈结构邻接；深源/漏极区与该轻掺杂源/漏极区邻接；以及分段金属硅化区位于该深源/漏极区与轻掺杂源/漏极区之上。其中该分段的金属硅化区包括第一部分，其具有第一厚度、第二部分与该第一部分邻接且具有第二厚度，而该第二厚度实质上小于该第一厚度。又其中该第二部分较该第一部分靠近通道区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：半导体基底；栅极堆栈结构位于半导体基底上；间隙壁位于该栅极堆栈结构的侧壁上；轻掺杂源/漏极区与该栅极堆栈结构邻接；深源/漏极区与该轻掺杂源/漏极区邻接；以及分段金属硅化区位于该深源/漏极区与轻掺杂源/漏极区之上，其中该分段的金属硅化区包括第一部份，其具有第一厚度、第二部分与该第一部份邻接且具有第二厚度，而该第二厚度实质上小于该第一厚度，且其中该第二部分较该第一部份靠近通道区。
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