[发明专利]基板处理方法、基板处理系统以及基板处理装置无效
申请号: | 200710101081.4 | 申请日: | 2007-04-26 |
公开(公告)号: | CN101064240A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 金山幸司;茂森和士;金冈雅;宫城聪;安田周一 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种能降低在曝光装置内的载物台等机构的污染的基板处理方法、基板处理系统以及基板处理装置。将仿真基板向在曝光前后进行抗蚀剂涂布处理和显影处理的基板处理装置搬送,其中仿真基板在校准处理中使用,而该校准处理是在对应于液浸曝光的曝光单元中调整图案图像的曝光位置的处理。在基板处理装置中,将接受到的仿真基板表面和背面反转,然后将其搬送到背面清洗处理单元中执行背面清洗处理。其后再次将仿真基板表面和背面反转,然后将其搬送到表面清洗处理单元而执行表面清洗处理。清洗后的仿真基板再次从基板处理装置返回到曝光单元中。由于能够在曝光单元侧使用清洁的仿真基板执行校准处理,因此能够降低基板载物台等曝光单元内的机构的污染。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 系统 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,将在基板处理装置中进行了抗蚀剂涂布处理后的基板搬送到曝光装置中进行图案曝光之后,使该基板返回到所述基板处理装置而进行显影处理,其特征在于,该方法包括:送出工序,将仿真基板搬送到所述基板处理装置中,其中所述仿真基板在所述曝光装置内用于调整图案图像的曝光位置,第一反转工序,在所述基板处理装置内,以使所述仿真基板的背面成为上表面的方式反转所述仿真基板,清洗工序,在所述基板处理装置内对所述仿真基板的背面进行清洗,第二反转工序,在所述基板处理装置内,以使背面清洗后的所述仿真基板的背面成为下表面的方式反转所述仿真基板,归还工序,将清洗后的所述仿真基板搬送到所述曝光装置中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造