[发明专利]基板处理方法、基板处理系统以及基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及将基板处理装置与曝光装置连接而成的基板处理系统、使用该系统的基板处理方法、以及在该系统中使用的基板处理装置，其中该基板处理装置是对半导体基板、液晶显示装置用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板等(以下简称为“基板”)进行抗蚀剂涂布处理和显影处理的装置，而该曝光装置是对涂布了抗蚀剂的基板进行曝光处理的装置。

背景技术

众所周知，半导体和液晶显示器等产品，是通过对上述基板实施清洗、抗蚀剂涂布、曝光、显影、蚀刻、层间绝缘膜的形成、热处理、切割等一系列处理而制造出来的。在这些处理中，曝光处理是将标线(reticle)(用于印相的掩模)的图案转印到涂布了抗蚀剂的基板上的处理、即成为所谓的光刻处理的核心的处理。通常，由于图案非常微细，所以不会对基板整个表面统一进行曝光，而会分为数片，反复进行曝光，也就是进行所谓的分级曝光。

另一方面，近年来，随着半导体器件等急速地高密度化，要求掩模图案进一步微细化也越来越强烈。因此，作为进行曝光处理的曝光装置的光源，取代以往的紫外线灯，波长相对较短的、称为KrF准分子激光光源或者ArF准分子激光光源的远紫外线光源(Deep UV)占据着主流。但是，对于现在的进一步的微细化要求，甚至ArF准分子激光光源也不能够满足要求。为了对此进行应对，考虑过在曝光装置中采用波长更短的光源、例如F2激光光源，但是，作为能够降低成本方面的负担并能够使图案进一步微细化的曝光技术而提出有液浸(immersion)曝光处理法(例如参照专利文献1)。

液浸曝光处理法是这样的技术：通过在使投影光学系统与基板之间充满折射率n大于大气(n＝1)的液体(例如，n＝1.44的纯水)的状态下进行“液浸曝光”，从而增大开口数(numerical aperture)而使析像度提高。根据该液浸曝光处理法，即使直接挪用现有的ArF准分子激光光源(波长193nm)，也能够使其等效波长为134nm，从而能够抑制成本负担增加的同时，使抗蚀剂掩模图案微细化。

与现有的干式曝光相同，在这种液浸曝光处理法中，使掩模图案图像与基板上的曝光区域正确地对准也很重要。因此，在与液浸曝光处理法对应的曝光装置中也进行校准(alignment)处理，该校准处理是对基板载物台的位置和标线位置进行校正而调节图案图像的曝光位置的处理。但是，由于在对应于液浸曝光处理法的曝光装置中，可能会在校准处理时因液体(液浸液体)侵入到基板载物台内部而产生不良，因此在专利文献2中公开了在基板载物台上配置仿真(dummy)基板来进行校准处理的方法。这样一来，与通常的曝光处理时相同，由于载物台凹部由仿真基板堵住，所以能够防止液体侵入到载物台内部。

专利文献1：国际公开99/49504号手册，

专利文献2：JP特开2005-268747号公报。

但是，在使用了如专利文献2中所述那样的仿真基板的校准处理中，当仿真基板本身的背面被污染时，该污染有可能会转印到载物台凹部上。当在曝光装置的载物台凹部上附着了颗粒等而被污染时，不仅该颗粒会附着在处理对象基板上，而且也有可能在曝光处理时基板的高度位置会发生微妙的偏差而影响正确的图案曝光。

此外，在曝光装置的载物台被污染的情况下，需要对载物台自身进行清扫。但是，不停止曝光装置而对载物台进行清扫并不容易。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而做出的，其目的在于提供一种能够降低曝光装置内的载物台等机构的污染的基板处理技术。

此外，本发明的目的在于提供一种能够容易地清扫曝光装置内的载物台的污染的基板处理技术。

为了解决上述课题，本发明的第一方案是一种基板处理方法，将在基板处理装置中进行了抗蚀剂涂布处理后的基板搬送到曝光装置中而进行图案曝光之后，使该基板返回到所述基板处理装置而进行显影处理，其特征在于，该方法包括：送出工序，将仿真基板搬送到所述基板处理装置中，其中所述仿真基板在所述曝光装置内用于调整图案图像的曝光位置，第一反转工序，在所述基板处理装置内，以使所述仿真基板的背面成为上表面的方式反转所述仿真基板，清洗工序，在所述基板处理装置内对所述仿真基板的背面进行清洗，第二反转工序，在所述基板处理装置内，以使背面清洗后的所述仿真基板的背面成为下表面的方式反转所述仿真基板，归还工序，将清洗后的所述仿真基板搬送到所述曝光装置中。

此外，本发明的第二方案是如第一方案所述的基板处理方法，其特征在于，所述清洗工序是在所述曝光装置内对曝光位置进行调整之前和/或之后执行。