[发明专利]基板处理方法、基板处理系统以及基板处理装置无效
申请号: | 200710101081.4 | 申请日: | 2007-04-26 |
公开(公告)号: | CN101064240A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 金山幸司;茂森和士;金冈雅;宫城聪;安田周一 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 系统 以及 装置 | ||
1.一种基板处理方法,将在基板处理装置中进行了抗蚀剂涂布处理后的基板搬送到曝光装置中进行图案曝光之后,使该基板返回到所述基板处理装置中进行显影处理,其特征在于,该方法包括:
涂布处理工序,在所述基板处理装置中对基板进行抗蚀剂涂布处理;
基板送出工序,将所述基板从所述基板处理装置搬送到所述曝光装置中;
曝光工序,在所述曝光装置中对所述基板进行图案图像的曝光;
基板归还工序,将所述基板从所述曝光装置搬送到所述基板处理装置中;
显影处理工序,在所述基板处理装置中对所述基板进行显影处理;
曝光位置调整工序,使用仿真基板,调整在所述曝光装置中对所述基板进行曝光的图案图像的曝光位置;
仿真基板送出工序,将仿真基板搬送到所述基板处理装置中,其中所述仿真基板在所述曝光装置内用于调整图案图像的曝光位置;
第一反转工序,在所述基板处理装置内,以使所述仿真基板的背面成为上表面的方式反转所述仿真基板;
清洗工序,在所述基板处理装置内对所述仿真基板的背面进行清洗;
第二反转工序,在所述基板处理装置内,以使背面清洗后的所述仿真基板的背面成为下表面的方式反转所述仿真基板;
仿真基板归还工序,将清洗后的所述仿真基板搬送到所述曝光装置中。
2.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
所述清洗工序是在所述曝光装置内对曝光位置进行调整之前和/或之后执行的。
3.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
定期地执行所述清洗工序。
4.如权利要求1~3中任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
该方法还包括在所述基板处理装置内对所述仿真基板的表面进行清洗的工序。
5.一种基板处理方法,将在基板处理装置中进行了抗蚀剂涂布处理的基板搬送到曝光装置中进行图案曝光之后,使该基板返回到所述基板处理装置中进行显影处理,其特征在于,该方法包括:
涂布处理工序,在所述基板处理装置中对基板进行抗蚀剂涂布处理;
基板送出工序,将所述基板从所述基板处理装置搬送到所述曝光装置中;
曝光工序,在所述曝光装置中对所述基板进行图案图像的曝光;
基板归还工序,将所述基板从所述曝光装置搬送到所述基板处理装置中;
显影处理工序,在所述基板处理装置中对所述基板进行显影处理;
载物台清洁工序,使用清洁基板,对在所述曝光装置中进行曝光处理时承载基板的载物台进行清洁处理;
清洁基板送出工序,将在所述载物台清洁工序中使用的清洁基板搬送到所述基板处理装置中;
第一反转工序,在所述基板处理装置内,以使所述清洁基板的背面成为上表面的方式反转所述清洁基板;
清洗工序,在所述基板处理装置内对所述清洁基板的背面进行清洗;
第二反转工序,在所述基板处理装置内,以使背面清洗后的所清洁基板的背面成为下表面的方式反转所述清洁基板;
清洁基板归还工序,将清洗后的所述清洁基板搬送到所述曝光装置中。
6.一种基板处理系统,其由基板处理装置和曝光装置连接而成,其中该基板处理装置对基板进行抗蚀剂涂布处理和显影处理,该曝光装置对涂布了抗蚀剂的基板进行曝光处理,其特征在于,
所述曝光装置包括:
存储部,其存储仿真基板,所述仿真基板用于调整图案图像的曝光位置,所述图案图像用于对在所述基板处理装置中涂布了抗蚀剂的基板进行曝光,
第一搬送装置,其在所述存储部与所述基板处理装置之间搬送仿真基板,并向所述基板处理装置交接所述基板;
所述基板处理装置包括:
涂布处理部,其对基板进行抗蚀剂涂布处理,
显影处理部,其对基板进行显影处理,
反转部,其使仿真基板的上下表面反转,
背面清洗部,其对仿真基板的背面进行清洗,
第二搬送装置,其在所述第一搬送装置与所述反转部以及所述背面清洗部之间搬送仿真基板,并向所述曝光装置交接所述基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造